سامسونج تطور أداء Galaxy S26 Ultra بذاكرة RAM أسرع وأكثر كفاءة الآن

Galaxy S26 Ultra ذاكرة الوصول العشوائي بسرعة 10.7 جيجابت في الثانية تقدم طفرة كبيرة في الأداء، حيث يعتمد الهاتف على الجيل الجديد من تقنيات ذاكرة الوصول العشوائي (RAM) التي تزيد من سرعته وكفاءته، إلى جانب المعالجات المتطورة التي تعزز تجربة الاستخدام وتدعم المهام المتعددة بكفاءة عالية.

Galaxy S26 Ultra ذاكرة الوصول العشوائي LPDDR5X بأعلى سرعة

تأتي ذاكرة الوصول العشوائي في هاتف Galaxy S26 Ultra مُزودة بتقنية LPDDR5X التي تتميز بانخفاض استهلاك الطاقة وسرعة تصل إلى 10.7 جيجابت في الثانية، وفقاً للتسريبات التي نشرها المسرب الشهير Ice Universe، كما أن هذه الذاكرة مصنعة بواسطة شركة Micron الرائدة. ويُعد هذا تطوراً مهماً مقارنة بهاتف Galaxy S25 Ultra الذي اعتمد سابقاً على ذاكرة LPDDR5X من نوع 1β (1-beta) بسرعة قصوى 9.6 جيجابت في الثانية، مما يزيد من سرعة الجهاز وكفاءته في معالجة البيانات.

تقنية ذاكرة 1γ في Galaxy S26 Ultra لأداء وكفاءة محسّنة

سيزود Galaxy S26 Ultra بذاكرة بتقنية 1γ (1-gamma) من Micron والتي توصف بأنها الأسرع في قطاع صناعة الذاكرة، حيث تلبي باحتراف متطلبات تطبيقات الذكاء الاصطناعي والمهام التي تتطلب معالجة بيانات شديدة الضخامة. إضافة إلى ذلك، توفر هذه التقنية وفراً في الطاقة يصل إلى 20% مقارنة بجيل 1-beta السابق، مما يَطيل من عمر البطارية بصورة ملحوظة. كما أن حجم الذاكرة الصغير جداً (0.61 ملم) يسمح باستغلال مساحة أكبر داخل الجهاز لأجزاء أخرى مثل مستشعرات الكاميرا الأكبر حجماً أو بطارية ذات سعة أكبر، مما يعزز من تجربة المستخدم الشاملة.

بدائل الذاكرة وتحديات سامسونغ مع Galaxy S26 Ultra ذاكرة الوصول العشوائي

من المحتمل أن تلجأ سامسونغ أيضاً إلى استخدام ذواكر LPDDR5X التي طورتها داخلياً، والتي تعتمد على تقنية تصنيع 12 نانومتر وتقدم سرعة 10.7 جيجابت في الثانية، مع فوائد ملحوظة من حيث الأداء والكفاءة مقارنة بالجيل السابق. وتجدر الإشارة إلى أن سامسونغ شهدت في عام 2023 بعض المشاكل المتعلقة بارتفاع درجات حرارة المكونات، مما دفعها إلى الاعتماد بنسبة 60% على ذواكر Micron في هاتف Galaxy S25. رغم إعلان سامسونغ معالجة هذه المشكلات، إلا أن تقارير يونيو أفادت بأن اختبارات ذواكر Micron ما زالت مستمرة ضمن سلسلة Galaxy S26، تأكيداً على حرص الشركة على استقرار الأداء.

• ذاكرة LPDDR5X بسرعة 10.7 جيجابت في الثانية لدعم الأداء العالي
• تقنية 1γ التي تحسن كفاءة الطاقة بنسبة 20%
• حجم صغير للذاكرة يسمح بتوسيع مكونات أخرى
• اعتماد بدائل محلية الصنع لتحسين الأداء وتقليل المشاكل

تصميم Galaxy S26 Ultra لا يشهد تحسناً في الذاكرة فقط، بل أيضاً يحصل على تحديث ملحوظ يضمن هيكلاً أنحف يزداد جاذبية بصرياً، مع تحسينات تقنية تدعم الأداء الأسرع والأقوى، واضعاً بذلك بصمة جديدة ضمن سلسلة Galaxy S التي تعرفت على نجاحها بفضل نسخة S25 وأداءها المتميز. هذه التطورات تمنح الهاتف ميزة تنافسية مميزة في سوق الهواتف الذكية، حيث يجمع بين السرعة والكفاءة والتصميم العصري.